Samsung startet Massenproduktion des weltweit schnellsten DRAMs – basierend auf neuester HBM-Schnittstelle (High Bandwidth Memory)
2016-01-19
Erstes 4-Gigabyte HBM2 DRAM erzielt sieben Mal höhere Datenübertragungsgeschwindigkeit als bisher schnellstes DRAM SEOUL, Korea, 19. Januar 2016 – Samsung Electronics Co. Ltd. hat die Massenproduktion des branchenweit ersten 4-gigabyte (GB) DRAM Package mit HBM2-Schnittstelle (High Bandwidth Memory) der zweiten Generation aufgenommen. Die neuen High-Bandwidth-Speicher eignen sich speziell für HPC-AnwendungenRead More →