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Erstes 4-Gigabyte HBM2 DRAM erzielt sieben Mal höhere Datenübertragungsgeschwindigkeit als bisher schnellstes DRAM SEOUL, Korea, 19. Januar 2016 – Samsung Electronics Co. Ltd. hat die Massenproduktion des branchenweit ersten 4-gigabyte (GB) DRAM Package mit HBM2-Schnittstelle (High Bandwidth Memory) der zweiten Generation aufgenommen. Die neuen High-Bandwidth-Speicher eignen sich speziell für HPC-AnwendungenRead More →

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Samsungs aktueller 14nm-Prozess bringt noch nie da gewesene Verbesserungen hinsichtlich Leistungsfähigkeit und Leistungseffizienz SEOUL, Korea, 14. Januar 2016 – Samsung Electronics Co. Ltd., ein weltweit führender Anbieter von innovativer Halbleitertechnologie, hat mit der Massenproduktion weiterentwickelter Logikchips in seinem LPP-Prozess (Low-Power Plus) mit Strukturen von 14nm begonnen. Der LPP-Prozess ist dieRead More →